<摘要：本文著重對現(xiàn)場測試中常碰到的疊裝式電容電壓互感器下節(jié)無中間抽壓端子電容器的介損測試方法及誤差來源進行了分析。
　　關(guān)鍵詞：CVT，中間抽壓端子，介損測試，整體測試法，自激法
　　引言：隨著電力技術(shù)發(fā)展的日益成熟，電容式電壓互感器（以下簡稱CVT）憑借其可兼作耦合電容器，絕緣強度高、制造簡單、體積小、重量輕、經(jīng)濟性顯著等優(yōu)點，已被廣泛應用在電力系統(tǒng)中。當然其現(xiàn)場試驗的方法特別是介損測試方法也成為了大家較為關(guān)注的問題。
　　CVT主要由電容分壓器和電磁單元組成，從結(jié)構(gòu)上講，分為分裝式和疊裝式兩種。對于分裝式CVT的介損測試而言，由于電容分壓器和電磁單元都是獨立的，測試時不易受外部干擾，通常都是采用常規(guī)法進行，且測得的數(shù)據(jù)與真實值也較為接近。而疊裝式CVT按下節(jié)電容器的結(jié)構(gòu)形式又可分為有中間抽壓端子和無中間抽壓端子兩種，前者在現(xiàn)場測試時一樣也可以采用常規(guī)法進行測試，且準確度也較高，在這里不重復介紹，而后者在現(xiàn)場測試時根本無法采用常規(guī)測試方法，其測試方法一直以來都存在較大的爭議，現(xiàn)在就我個人的一些經(jīng)驗談談無中間抽壓端子分壓電容介損測試方法的分析及選擇。
　　無中間抽壓端子分壓電容的介損測試方法主要有兩種：1、C1和C2整體測試法（正接法）；2、自激法。前者只能測出一個整體的電容值和介損值，而后者能分別測出C1和C2的電容值和介損值，兩種都方法各有優(yōu)劣。現(xiàn)在我們先了解一下CVT下節(jié)電容器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，如下：
　　                            
　　L—補償電抗器R—限流電阻Z—阻尼電阻P—放電保護間隙
　　圖1
　　C1和C2整體測試法（正接法）的誤差分析和選擇：
　　在現(xiàn)場的測試中經(jīng)常碰到以下幾種接線方法，下面我們逐一進行分析：
　　                  
　　圖2X端子接地
　　                                
　　圖3X端子懸空
　　顯然圖2中的測試方法是錯誤的，因為由于X端子的接地，CVT中間變壓器電磁單元直接并入了測試回路中，并對測試電流產(chǎn)生了分流，這就會使測試結(jié)果產(chǎn)生偏小的誤差，有時甚至會出現(xiàn)負值。那么圖3的測試方法是否正確呢？雖然圖3的測試方法中X是懸空的，但由于X端子對地絕緣電阻（X端子的引出通常是通過二次端子盒上的二次接線板引出，其對地絕緣電阻一般都不會很高）和CVT中間變壓器一次繞組對地絕緣電阻的存在，所以還是沒辦法完全阻斷流經(jīng)CVT中間變壓器電磁單元的電流，這樣一來，測試的介損值很大程度上就決定于X端子和CVT中間變壓器一次繞組對地絕緣電阻的大小，當絕緣電阻足夠大時，電磁單元產(chǎn)生的分流就小，這樣測出來的值與真實值則較為接近；但當絕緣電阻不夠大時，電磁單元產(chǎn)生的分流就會變大，這樣測出來的值很可能與圖2的測試結(jié)果一樣，還是負值。那么要如何進行正確的測試呢？我們先來看下，CVT中間變壓器電磁單元是如何對測試結(jié)果造成影響的：
　　                         
　　圖4不考慮CVT中間變壓器電磁單元影響的測試原理圖
　　                          
　　圖5圖4對應的向量圖
　　上圖是沒有考慮CVT中間變壓器電磁單元影響的測試原理圖及相應的向量圖，從圖中可以看到介損值tgδ主要由Uac與I2的位置決定，那么考慮了CVT中間變壓器電磁單元的影響Uac和I2的位置會發(fā)生什么變化呢?見下圖：

                                  
　　圖6考慮CVT中間變壓器電磁單元影響的測試原理圖

                    
　　　　圖7圖6對應的向量圖
　　從上圖我們發(fā)現(xiàn)在考慮從CVT中間變壓器電磁單元的影響后，I2與Uac已大于了90°，這就直接導致了tgδ負值的出現(xiàn)。通過上面的分析我們可以確定由于CVT中間變壓器電磁單元的影響，使得測試回路中出現(xiàn)了分流Ig（呈感性），從而使得tgδ偏離了真實值，也就是說只要我們能抑制流入CVT中間變壓器電磁單元的分流或把它限制在最小，就能測出較為真實的tgδ值。那么我們要怎么做呢？可以通過短接中間變壓器的二次繞組，使在二次繞組上產(chǎn)生的短路電流通過阻礙鐵芯磁通變化的作用在一定程度上抑制流入CVT中間變壓器一次繞組的電流，從而提高tgδ測試的準確性。但要注意的是，由于中間變壓器的二次繞組已被短接，則中間變壓器一次繞組的X端子是禁止接地的。因為如果X端子直接接地，那么在中間變壓器一、二次繞組產(chǎn)生的大電流將會使繞組損壞。以下是220kV金馬變電站110kV金龍線線路CVT的現(xiàn)場測試值，我們可以參考一下：
　　型號：TYD110/-0.01H廠家：桂林電力電容器廠
　　測試儀器：濟南泛華AI-6000（E）型抗干擾介損測試儀
　　試驗日期：2007.03.25溫度：26℃濕度：70%

                      
　　在短接中間變壓器二次繞組后，介損值恢復正常。
　　值得注意的是通過以上方法測出的tgδ值，其實主要反應的是電容C1的tgδ1值。因為C1和C2串聯(lián)時總電容的tgδ值為：tgδ總=（tgδ1·C2+tgδ2·C1）/（C1+C2），由于C1C2（如桂林電力電容器廠生產(chǎn)的110kVCVT中C2通常為C1的4倍），分子、分母中同除以C2后即可推出：tgδ總≈tgδ1。
　　C1和C2整體測試法（正接法）的總結(jié)：雖然通過短接中間變壓器的二次繞組，消除了中間變壓器電磁單元對測試的影響，但通過上面的分析，我們可以看到，這種測試方法主要反應的是電容C1的tgδ值，當電容C2的絕緣發(fā)生劣化時，僅僅通過這種方法是很難發(fā)現(xiàn)問題的，這說明這種測試方法還是存在一定的局限性。
　　自激法的誤差分析：
　　下圖是分別用自激法測試C1和C2的原理圖：

                         
　                                             　圖8自激法測C1
　　                          
　                                                     　圖9自激法測C2
　　由上面兩個測試原理圖可知,在測試電容C1的tgδ值時，電容C2被串入了標準電容回路中；而在測試電容C2的tgδ值時，電容C1也被串入了標準電容回路中，這樣就會引起標準電容回路總電容Cn和其tgδ發(fā)生變化，并對我們的測試結(jié)果產(chǎn)生誤差。現(xiàn)以測試電容C1的tgδ值（此時電容C2被串入了標準電容回路中）為例進行分析：
　　（1）電容C2的串入后標準電容回路總電容的變化對測試結(jié)果的影響：
　　電容C2串入標準電容回路后，標準電容回路的總電容已發(fā)生了變化，此時Cn′=（C2·Cn）/(C2+Cn)，而Cn的變化也必定會引起電橋平衡時C4和R4值的變化，這就使得CX的測試值tgδ（tgδ=ωC4R4）偏離了真實值。
　　（2）電容C2的串入后標準電容回路總介損值的變化對測試結(jié)果得影響：
　　設電容C2的介損值為tgδ2，其對應的介質(zhì)損耗角為δ2；標準電容Cn對應的介質(zhì)損耗角為δn，且δn=0°（理想狀態(tài)下）；被試電容器CX介質(zhì)損耗角為δX，In為參考電流，Un為參考電壓，Ix為測試電流，見下圖：
　　                    
　　圖10電容C2未串入標準電容回路前電壓和電流的向量圖
　　                        
　　圖11電容C2串入標準電容回路后，參考電壓和參考電流的向量圖
　　從圖中可以看到，電容C2串入標準電容回路后，我們實際測到的CX的介損值已由原理的tgδX變?yōu)榱藅gδX′。同理可以證明在用自激法測試電容C2的tgδ值時也存在類似的問題。這說明自激法測試的測試原理本身就存在一定的誤差。那么如何減小這一誤差呢？還是以測試電容C1的tgδ值（此時電容C2被串入了標準電容回路中）為例，在Cn串入C2后，C總=（C2·Cn）/（C2+Cn），標準電容回路的總tgδ=（tgδ2·Cn+tgδn·C2）/（Cn+C2），只要滿足條件：CnC2，此時Cn/C2≈0,即可推出：tgδ≈tgδn，可以說此時電容C2的電容量和介損值對標準電容回路總電容值和總介損值的影響是很小的，這就大大提高了現(xiàn)場測試結(jié)果的準確性。為滿足條件，我們在選購介損測試儀時應盡量選擇配置的標準電容小（一般不大于50pF），介質(zhì)損耗小（一般tgδ不大于0.005%）的測試儀。
　　以上只是對自激法測試原理本身引起的誤差進行了分析，下面再分析自激法測C1、C2介損值出現(xiàn)外界因素所帶來的誤差：
　　型號：TYD3-110/-0.01H廠家：桂林電力電容器廠
　　測試儀器：濟南泛華AI-6000（E）型抗干擾介損測試儀
　　試驗日期：2007.08.10溫度：29℃濕度：60%
　　
　　以上是某110kV母線CVT下節(jié)電容器的試驗數(shù)據(jù)，現(xiàn)結(jié)合以上數(shù)據(jù)進行說明。
　　（1）自激法測C1時：
　　采用自激法測試高壓電容器C1時，其介損值一般都高出真實值很多，其原因除了上述測試方法引起的誤差外還有電容分壓器低壓端引出套管和引出端子板的絕緣性能的影響。由于測試C1時，δ端子的電位為2500V左右，處于高電位狀態(tài)，而δ端子本身的絕緣水平僅在3000V左右，所以測試時沿小套管表面的泄漏和引出端子板上的δ端子對地的泄漏以及絕緣板的絕緣性能對測試結(jié)果造成的影響都是不可忽略的。
　　                       
　　圖12圖中Cg、Rg為δ端子對地的等值電容和電阻
　　（2）自激法測C2時：
　　自激法測試C2時由圖8可知，電容分壓器的低壓端δ端直接進入電橋，δ端的電位很低，因此，影響測試結(jié)果的因素主要是測試方法的誤差，此誤差很小。所以采用自激法測試C2所得到的結(jié)果比較真實的反應了C2的實際介損。
　　值得一提的是，由于在CVT中，ωL＝1／ω（C1＋C2），式中ωL為補償電抗器的電抗與中壓變壓器的漏抗之和，那么我們在采用自激法進行試驗時應盡量避免諧振發(fā)生的可能，建議從并聯(lián)有阻尼電阻的輔助繞組（即圖中da-dn）加壓，并做好試驗電壓和電流的控制，保證試驗電壓不超過允許值。試驗電壓可用靜電電壓表監(jiān)測。
　　總結(jié)：由以上分析可知無論采用整體測試法還是采用自激法測試無中間抽壓端子電容器的介損值，都各有其局限性。用整體法測試時主要發(fā)映的是電容C1的絕緣情況，對電容C2的反應并不靈敏，用自激法測試時C1的測試結(jié)果受小套管表面的泄漏和δ端子對地的泄漏以及絕緣板的絕緣性能的影響往往與真實值有較大的偏差，而C2的測試結(jié)果則比較真實，但也排除不了測試方法本身存在的誤差影響。為了能更有效的達到我們的試驗目的，對C1、C2的絕緣狀態(tài)都有較好的把握，建議在條件允許的情況下，盡量采用自激法測電容C2的介損值。由于電容C1、C2都裝于同一瓷套內(nèi)，其實際介損值應相差不大，如用自激測出的C1介損值與C2介損值偏差太大（即小套管表面的泄漏和引出端子板上的δ端子對地的泄漏以及絕緣板的絕緣性能對C1的測試值影響太大）時，應以C2的介損值為參考，用整體法進行復測，如復測結(jié)果與C2的介損值較為接近，則應以此值作為C1的介損值。