人工晶體學報
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《人工晶體學報》
關注()- 期刊周期：月刊
- 期刊級別：北大核心
- 國內統一刊號：11-2637/O7
- 國際標準刊號：1000-985X
- 主辦單位：中材人工晶體研究院
- 主管單位：中國建材工業協會
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【雜志簡介】
《人工晶體學報》是由中國硅酸鹽學會晶體生長與材料分會和中非人工晶體研究院聯合主辦，由《人工晶體學報》編輯委員會編輯，人工晶體學報社出版的國家級學術性期刊，是我國唯一專門刊登人工晶體材料這一高新技術研究領域成果的學術性刊物。《人工晶體學報》以“讓中國晶體走向世界讓世界關注中國晶體”為己任，論文年內容集中反映了我國人工晶體材料研究領域的最新成果，覆蓋了本學科的所有研究項目和應用領域，成為世界了解我國人工晶體材料研究領域的重要窗口。《人工晶體學報》以論文和簡報等形式及時報道我國在晶體材料：半導體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術陶瓷等在理論研究、生長技術、性能、品質鑒定、原料制備，以及應用技術和加工等方面的最新科研成果，同時介紹國內外晶體材料的發展動態與學術交流活動及會展信息。刊戶覆蓋以上各行業的大專院校、科研院所、生產經營單位和省(市)圖書館、政府相關部門，該刊已在美、日、英、俄、德等國家和地區發行。學報編委會由全國30多位知名院士、教授和專家組成，負責確定《學報》的辦刊宗旨及審定論文的質量。
本刊為美國《工程索引》(EI)收錄源期刊;此外，早已收錄《學報》的其它國際著名檢索系統有：美國《化學文摘》(CA)，英國《科學文摘》(INSPEC)，日本《科技文獻速報》(JICST)，俄羅斯《文摘雜志》(AJ)。在國內，《人工晶體學報》為"中文核心期刊";已被《中國科技文獻數據庫》收錄，全文內容在"萬方數據--數字化期刊群"系統上網;被《中國期刊網》、《中國學術期刊(光盤版)》全文收錄;是《中國學術期刊綜合評價數據庫》來源期刊;《中國學術期刊文摘》首批收錄的源期刊。本刊曾榮獲“全國優秀科技期刊”獎,并多次榮獲部級“科技優秀期刊”等多種獎勵。經過多年的發展，目前《人工晶體學報》日益受到國內外讀者的廣泛歡迎，受到美國、俄羅斯、日本、捷克等國外科研企業的高度關注，國外有關公司已通過《學報》所展示的信息與國內有關單位進行了廣泛接觸與交流。他們的目標是追蹤高科技前沿，主推高學術水平，展示技術與工程的結合，促進產業化發展。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄
1997年獲全國第二屆優秀科技期刊獎
1987年獲優秀編輯二等獎
1989年獲優秀期刊獎
【欄目設置】
主要欄目：學術論文、簡報。
雜志優秀目錄參考：
1 制約硅晶片減薄因素研究分析 劉騰云;葛培琪;高玉飛; 1719-1724
2 應變對單層碘化鉛的能帶及光電導率影響的第一性原理研究 郝東;朱世富;趙北君;朱興華;何知宇;楊定宇;孫輝; 1725-1730+1747
3 YBCO/ND-Y_2O_3/YBCO超導薄膜的制備及其特性研究 汪薪生;郭峰;任澤龍;李國興;張寶林; 1731-1735
4 聚吡咯修飾鋰釩氧納米管的制備及其電化學性能研究 崔朝軍;孫興川;李現常;李成波;牛永生; 1736-1740+1747
5 4H-SiC的強氧化液化學機械拋光(英文) 梁慶瑞;胡小波;陳秀芳;徐現剛;宗艷民;王希杰; 1741-1747
6 基于負性光刻膠掩膜的濕法多晶硅制絨 丁彬;程現鐵;徐國慶;張宏; 1748-1753
7 PET在乙酸溶液中的晶體生長探索 蘇佳樂;常新安;陳學安;肖衛強;張書峰;臧和貴; 1754-1757
8 Sc_2O_3對水熱法生長ZnO晶體的影響 左艷彬;周海濤;王金亮;何小玲;任孟德;張昌龍; 1758-1763
9 氯氧化鉍晶體的制備及其表征研究 馬春陽;吳飛飛;王金東;肖清貴;徐紅彬; 1764-1767+1772
10 近紫外白光LED用KBa_2(NbO_3)_5∶Eu3+紅色熒光粉的合成與發光性能 李登宇;王海波;朱月華;邢海東;施豐華;卓寧澤; 1768-1772
11 三元納米層狀Ta_2AlC原位合成機制 田寶娜;應國兵;王鵬舉;王乘;吳玉萍; 1773-1777
12 負極集流體為CNT導電紙的鋰離子電池及其性能 劉珍紅;孫曉剛;吳小勇;龐志鵬;聶艷艷;岳立福; 1778-1782
13 ZnO/TiO_2復合光陽極染料敏化太陽能電池的研究 王艷香;高智丹;楊志勝;黃麗群;李家科;孫健; 1783-1789
電子技術應用論文：基于隨機森林的跌倒檢測算法
摘要：針對現有跌倒檢測算法由于缺乏真實老人跌倒樣本以及使用年輕人仿真跌倒樣本規模較小導致的過擬合和適應性不足等問題，提出了基于隨機森林的跌倒檢測算法。該算法采用滑動窗口機制，對窗口內的加速度數據進行時間域和變換域處理，提取時間域和變換域特征參數后，在所有樣本集中進行有放回的Bootstrap隨機抽樣和屬性隨機選擇，構建多個基于最佳屬性分割的支持向量機(SVM)基本分類器。在線跌倒檢測階段，對多個SVM基本分類器的分類結果采用少數服從多數的原則，給出最終判定結果。實驗表明，隨機森林跌倒檢測算法可獲得95.2%的準確率、90.6%的敏感度和93.5%的特異性，明顯優于基于SVM和反向傳播(BP)神經網絡跌倒檢測算法，反映出隨機森林跌倒檢測算法能更準確地檢測跌倒行為，具有較強的泛化能力和魯棒性。
關鍵詞：跌倒檢測,隨機森林,支持向量機,反向傳播神經網絡,屬性
人工晶體學報最新期刊目錄
輻射探測用金屬鹵化物鈣鈦礦單晶閃爍體————作者：張磊磊;薛澤旭;孫煉;劉陽;王魯凱;王尊剛;
摘要：閃爍體是一種通過粒子輻射或電離射線輻射激發發光的材料，經過100多年的發展，已廣泛應用于高能物理、天體物理、輻射成像、國土安全等領域。現市面上所售閃爍體探測器材料大多為NaI:Tl、LaBr3:Ce等離子摻雜型發光閃爍體，有易潮解、自放射性本底、高脆性等缺點，已逐漸不能滿足日益復雜的輻射探測應用場景。金屬鹵化物鈣鈦礦閃爍材料因其結構可調性和化學組分多樣性的優勢，展現出比傳統無...
I-摻雜Cs3Bi2Br9晶體的生長及其光學性能調控————作者：陳思賢;徐樂;唐遠之;孫海濱;郭學;馮玉潤;胡強強;
摘要：本文采用溶液降溫法成功制備了I-摻雜的Cs3Bi2Br9晶體(Cs3Bi2IxBr9-x)，系統研究了I-摻雜對Cs3Bi2Br9晶體結...
添加劑輔助生長CsPbBr3單晶及其γ射線探測性能————作者：陳燃;趙嘯;孟鋼;Gnatyuk Volodymyr;倪友保;王時茂;
摘要：CsPbBr3單晶具有高原子序數、高載流子遷移率壽命積、高電阻率和對X/γ射線的阻擋能力強等優點，是一種極具應用前景的半導體輻射探測材料。CsPbBr3單晶可以通過溶液法低成本生長，但溶液法生長CsPbBr3單晶具有擇優取向，獲得的晶體多呈棒狀，不利于器件制備，且晶體生長速度較快，單晶內容易出現孿晶等缺陷。本文在逆溫度結晶法生長Cs...
薄膜制備方法及其結晶行為對鹵化物鈣鈦礦X射線探測器成像性能的影響研究綜述————作者：偰航;靳志文;
摘要：X射線探測器在醫療診斷、安全檢查、工業探傷和科學研究等領域發揮著至關重要的作用。鹵化物鈣鈦礦（HPs）因其X射線吸收系數大、載流子擴散長度長、發光性能優異等特點，在高性能X射線探測領域引起了廣泛關注。特別是HPs制備方式靈活，能夠方便地加工為多晶膜、晶片等形態。然而，不同制備方法及其結晶行為將導致活性層內的結晶取向、晶界數目、裂紋針孔等器件缺陷以不同的形態分布，顯著影響了載流子和閃爍光的傳輸，對器...
全無機錫鈣鈦礦CsSnBr3晶體的生長和電學、光學性能研究————作者：蕭岱楨;高榮;陳怡;米啟兮;
摘要：使用布里奇曼法成功制備了Φ12 mm×35 mm的摻雜1%Sn（Ⅳ）與未摻雜的CsSnBr3晶體，并以溶液法生長的CsSnBr3晶體作為對照，對全部晶體樣品進行了物相、電學和光學性質研究。CsSnBr3晶體屬于立方晶系，空間群Pm-3m。未摻雜的CsSnBr3的禁帶寬度為1.79 eV，摻雜1%的Sn（Ⅳ）可以...
輻射探測器用CsPbBr3晶體的缺陷研究進展————作者：李寧;張欣雷;肖寶;張濱濱;
摘要：CsPbBr3晶體因高原子序數、優異的載流子輸運性能及室溫工作特性，成為新一代半導體輻射探測器的核心候選材料。然而，晶體中的缺陷（如點缺陷、孿晶、夾雜相）會顯著影響其性能。本綜述系統分析了CsPbBr3中缺陷的形成機制及其對載流子傳輸的制約：晶格極化子效應主導本征散射，點缺陷（如Pb間隙原子）通過深能級陷阱加劇載流子復合；鐵彈疇（孿晶）因界面勢壘導致載流...
量子剪裁型鐿離子摻雜鈣鈦礦納米晶的合成及其在X射線多能譜成像中的新應用————作者：惠娟;楊旸;
摘要：近年來，稀土離子摻雜鈣鈦礦材料憑借其優異的光電特性、可調節的帶隙及獨特的量子剪裁效應，在光電功能材料領域引起了研究者的廣泛關注。其中，鐿離子(Yb3+)摻雜鈣鈦礦納米材料因其顯著的光學特性，如超大的斯托克斯位移、超過100%的熒光量子產率及高效的近紅外發光，在X射線成像、多能譜X射線成像、熒光型太陽能聚光器、太陽能電池和近紅外電致發光器件等領域展現出巨大的應用潛力。本文聚焦于...
0維鈣鈦礦Cs3CdBr5的晶體生長與閃爍性能研究————作者：賈宇楨;李政隆;顏欣龍;王瑞辰;彭晨;段韋恒;楊偉虎;何偉民;宋柏君;程瑤;范瀟宇;楊帆;
摘要：本文使用坩堝下降法制備了φ5 mm的Cs3CdBr5單晶，在晶錠錐部發現了CsBr包裹Cs3CdBr5形成的Cs3CdBr5-CsBr復合閃爍體。對晶體進行了物相分析，解釋了復合閃爍體形成的原因，并對晶體進行了光致發光與X射線激發發光性能研究。Cs3 錫基鈣鈦礦晶體與器件的研究進展————作者：張淑藝;劉庚靈;王浩;魯躍;姜顯園;李文焯;劉聰;呂英波;武中臣;劉董;陳耀; 摘要：隨著全球對環境友好型光電材料需求的不斷增長，錫基鹵化物鈣鈦礦因環境友好及優異的光電性能，逐漸成為替代傳統鉛基鈣鈦礦的重要候選材料。盡管錫基鈣鈦礦在光吸收、載流子輸運等方面展現出顯著優勢，但Sn2+極易氧化，加上快速結晶過程中容易形成晶格缺陷，使材料穩定性和器件性能受到較大影響。近年來，國內外研究者圍繞錫基鈣鈦礦的晶體生長、缺陷調控及界面工程開展了大量系統性研究，提出了逆溫結晶... CsPbBr3鈣鈦礦量子點閃爍體的X射線輻照穩定性————作者：楊智;顧林園;王大偉;徐旭輝;宋繼中; 摘要：在工業無損檢測應用中，閃爍體需長期承受高劑量輻照，因此其輻照發光穩定性至關重要，準確的輻照穩定性評估對于預測閃爍體壽命及分析性能衰減規律具有重要的工程價值。CsPbBr3鈣鈦礦量子點閃爍體以其高輻射硬度、強X射線阻止能力、納秒發光時間、低溫合成工藝、可大面積及柔性制造等優異的性能而備受關注。本研究通過固相熱成型工藝制造了CsPbBr3量子點閃爍體，形貌分析表明量子點均勻地分散... 通過缺陷和應變工程控制Janus MoSSe的析氫反應————作者：劉勁松;沈露;任龍軍;黃希忠; 摘要：Janus過渡金屬二硫族化合物（TMDs）因獨特的不對稱結構而展現出優異的電子、光學和催化性能，在納米催化和熱電等領域具有廣泛的應用前景。本研究采用第一性原理計算方法，系統研究了具有典型空位缺陷的Janus MoSSe單層的穩定性及其析氫反應（HER）性能。研究結果表明，單層Janus MoSSe在HER過程中的吉布斯自由能顯著降低至約0.5 eV，明顯低于原始MoSSe和傳統MoS2<... 液態防護膜的制備及性能研究————作者：李艷;韓筍;許程; 摘要：為了優化光學薄膜的防護性能，延長使用壽命，本文創新性地采用液態防護膜來保護光學薄膜，制備了三種不同的液態防護膜，包括純物質防護膜、混合液態防護膜和膠體防護膜。探究三種液態防護膜的透過率、激光損傷閾值（LIDT）和自修復性能，并對液態防護膜的防護效果進行研究。結果表明，三種液態防護膜中膠體防護膜性能最為優異，其中的SiO2膠體透過率達91.8%，LIDT達34.2 J/cm 鋼纜直徑對大尺寸直拉單晶硅生長穩定性的影響————作者：朱麗濤;劉磊;原帥;周聲浪;張華利;汪晨;高宇;曹建偉;余學功;楊德仁; 摘要：直拉單晶硅生長技術的發展促進了更大尺寸晶體的生產。目前，在重復拉晶過程中，單爐最后一根晶體的質量通常達到600～800 kg，已超過成熟技術中提拉鋼纜的工程載荷上限。本文報道了設備改造中因增加提拉鋼纜直徑而引發的穩定性問題及其解決方案。研究發現，鋼纜增粗后剛性增強，導致籽晶發生傾斜，進而在低負載時引發棱線偏移，在高負載時增加細頸斷裂的風險。通過控制變量實驗，本研究確認鋼纜增粗后晶體生長穩定性的問題... 襯底類型對生長多晶金剛石膜應力和結晶度影響研究————作者：李翔;陳根;沈潔;祝銘輝; 摘要：不同襯底材料會影響多晶金剛石的結晶度和應力。本文采用微波等離子體化學氣相沉積（MPCVD）設備，研究三種不同襯底（W、Si和Mo）對沉積多晶金剛石膜應力和結晶度的影響。首先，為降低邊緣效應，通過數值模擬、OES光譜分析方式優化并驗證了沉積金剛石膜的最佳基臺高度是16 mm。在相同工藝條件下生長多晶金剛石薄膜，利用拉曼光譜、SEM比較三種襯底沉積金剛石的結晶度和質量，三種襯底生長的金剛石晶面取向主要... MOCVD載氣流量對GaN外延生長的影響————作者：李亞洲;馬占紅;姚威振;楊少延;劉祥林;李成明;王占國; 摘要：本文基于金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術，在6英寸Si （111）襯底上外延生長了GaN薄膜，通過橢圓偏振光譜儀、高分辨X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡及透射電子顯微鏡等測試分析手段表征了GaN薄膜的微觀結構、表面形貌及晶體質量，研究了GaN薄膜生長時的H2載氣流量變化對GaN生長均勻性及晶體質量的影響。結果表明，隨著H2載氣流量的增加，... 基于SBA-15介孔氧化硅遞藥系統的構建及提高茴拉西坦溶出度的研究————作者：牟涵清;呂江維;王鵬光;余科徹;高廣宇;張文君; 摘要：為了提高難溶性藥物茴拉西坦（ANI）的溶解度和溶出度，以P123為模板劑制備了SBA-15介孔氧化硅載體，并加入擴孔劑1，3，5-三甲苯（TMB）得到了擴大孔徑的擴孔L-SBA-15載體，將ANI負載于SBA-15和L-SBA-15兩種載體上構建了基于SBA-15介孔氧化硅的遞藥系統。通過SEM、TEM、FTIR、XRD和N2吸附-脫附測試等表征方法對載藥前后載體的結構進行分... Co摻雜Na0.5Bi4.5Ti4O15鉍層狀無鉛壓電陶瓷制備及電學性能研究————作者：張飛洋;閆鋒;婁岳;李波江;李杰; 摘要：使用傳統固相反應法制備了Na0.5Bi4.5Ti4-xCoxO15（x=0、0.025、0.050、0.075）鉍層狀無鉛壓電陶瓷。采用XRD、SEM、EDS、XPS及相關電學參數測試系統表征了樣品的晶體結構、斷面形貌、氧空位情況及介電、壓電、鐵電等性能，探究不同Co摻雜含量對陶瓷性能的影... 熱屏影響下直拉法單晶硅生長能耗及傳熱路徑研究————作者：祁超;李登輦;李早陽;楊垚;鐘澤琪;劉立軍; 摘要：單晶硅是太陽能電池的主要原材料，其生長成本直接影響電池的制造成本。因此，降低單晶硅生長能耗對光伏產業的降本增效至關重要。本文建立了直拉單晶硅生長的全局3D數值模型，考慮了單晶爐中加熱器、電極等非旋轉對稱結構，能夠更精確地模擬單晶爐內的流動和傳熱過程。基于所建立的數值模型，研究了熱屏冷（熱）側發射率對單晶爐內能耗分配及輻射、對流和導熱傳熱路徑的影響規律。結果表明，冷、熱側發射率的降低均可取得明顯的降... 高效可重現的SbI3聲化學合成及其薄膜制備————作者：李晴雯;鐘敏; 摘要：二維金屬鹵化物近年來成為研究熱點，其中三碘化銻(SbI3)因具有光學各向異性、較高的折射率、二次諧波等特性用于輻射探測器和光電器件。但SbI3價格昂貴，限制了其大規模應用。本文以銻粉和碘粉為原料，首次采用聲化學方法合成了SbI3，并研究了超聲時間、反應溶劑、Sb物質的量及銻碘摩爾比對產物的影響，并以此粉體為原料制得SbI3... 微下拉法Er∶CNGG晶體的生長及光譜性能研究————作者：陳子航;王曉丹;劉堅;劉鵬;徐曉東;徐軍; 摘要：采用微下拉法生長出摻雜濃度（原子數分數）為0.3%、2.0%、3.0%和5.0%的Er∶CNGG晶體。X射線衍射（XRD）測試表明Er∶CNGG晶體屬于立方晶系。測試了Er∶CNGG晶體的吸收光譜、熒光光譜和熒光衰減曲線。5.0%Er∶CNGG晶體在968 nm處的吸收系數為1.70 cm-1，半峰全寬（FWHM）為17.5 nm，可有效匹配商用激光二極管泵浦源。5.0%Er... 相關科技期刊推薦 核心期刊推薦
