微電子學
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《微電子學》
關注()- 期刊周期：雙月刊
- 期刊級別：北大核心
- 國內統一刊號：50-1090/TN
- 國際標準刊號：1004-3365
- 主辦單位：四川固體電路研究所
- 主管單位：工業和信息化部
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- 下一本期雜志：《核電子學與探測技術》電子科技論文
【雜志簡介】
《微電子學》是技術類期刊。傳播、普及、推廣 微電子科學技術知識，介紹國內微電子行業的最新研究成果和國外微電子業界的發展動態。有關微電子學基礎理論，微電子器件與電路, 集成電路，半導體工藝和制造技術，集成電路封裝技術，多芯片組件技術，集成電路可靠性技術，片上系統，集成系統等領域的研究論文、技術報告、綜合評述、產品應用等內容。該刊重點檢索刊物、數據庫、期刊網站所收錄，是中國核心期刊之一。
【收錄情況】
國家新聞出版總署收錄
中文核心期刊
信息產業部優秀電子科技期刊
中國期刊方陣“雙效”期刊
國外數據庫收錄：俄羅斯文摘雜志、美國化學文摘、英國物理學、電技術、計算機及控制信息社數據庫
【欄目設置】
本刊主要刊登有關微電子學基礎理論，微電子器件與電路, 集成電路，半導體工藝和制造技術，集成電路封裝技術，多芯片組件技術，集成電路可靠性技術，片上系統，集成系統等領域的研究論文、技術報告、綜合評述、產品應用等內容。
雜志優秀目錄參考：
一種寬輸入范圍高電源抑制比的帶隙基準源 韓雨衡;趙少敏;劉增鑫;賀婭君;華浩翔;張國俊417-420
一種高效率寬電壓輸入混合集成開關電源設計 柴漢冬;尹華421-424+428
一種高電源抑制比的全MOS電壓基準源設計 唐俊龍;肖正;周斌騰;謝海情425-428
一種USB電源管理芯片雙門限限流保護電路 譚玉麟;馮全源429-432
一種低相位噪聲鎖相環頻率合成器的設計 李通;陳志銘;桂小琰433-436+440
一種基于全差分積分器的時鐘穩定電路設計 羅凱;朱璨;胡剛毅437-440
基于90nm CMOS工藝的37GHz分頻器 安鵬;陳志銘;桂小琰441-443+448
一種電流型非線性補償帶隙基準的設計 徐鵬程;尹桂珠;韓志剛444-448
帶使能端及保護電路的LDO設計 汪雪琴;李力南;歐文;翟鵬飛;毛少博449-453
一種用于TRIAC導通角測量的時鐘振蕩電路 周英娜;郭寶明;馮玲玲;李威454-456+460
一種高CMRR高增益運算放大器的設計 何澤煒;郭俊;張國俊457-460
可集成于汽車電壓調節器的高性能振蕩電路 王建衛;李佐;張鳳玲;張輝461-464
一種電流自適應溫度的LED驅動電路 武世明;曾以成;陶亮465-468+473
一種用于PIR控制芯片的級聯積分梳狀濾波器 徐進;李澤宏;王子歐;江猛469-473
一種有效實現IC時序收斂的方法 祝雪菲;張萬榮;萬培元;林平分;王成龍;劉文斌474-478+483
單粒子瞬態脈沖的片上測量 蔣見花;向一鳴;周玉梅479-483
基于肖特基勢壘二極管整流的功率指示計設計 李琰;肖知明;俞航;劉少華;Amara AMARA484-487
高精度電流模式四象限乘法器的設計與應用 吳湘鋒;李志軍;張黎黎488-491+496
準諧振正激變換器零電壓開關設計 吳限;王強;蔣云楊492-496
電子科技論文發表：基于北斗搜尋救助定位系統的定位終端設計
摘 要：北斗搜尋救助定位終端是整個系統的核心，該文設計了一套適用于弱勢群體定位終端，重點講述了該終端的定位模塊、單片機模塊以及無線通信模塊的電路設計，并通過硬件電路調試，將終端成功運行起來，北斗接收終端通過串口調試助手進行測試，結果表明北斗接收機能夠正常接收來自北斗衛星和GPS衛星的導航信息，并且能接收和發送短信。
關鍵詞：北斗衛星,定位終端,無線通信
現今我們在不熟悉的場所唯一依賴的 GPS或衛星電話，這些對老人、兒童以及智障人士來說無疑是毫無用處的，而危險無處不在，如果無法及時掌握這些人的動態信息，可能會導致悲劇的發生。因此設計一套基于北斗衛星導航的搜尋救助系統是非常有必要的。在搜尋救助系統中定位終端需要帶在行人的身上，才可以對其進行實時的監控、跟蹤，因此如何設計較小的定位終端在搜尋救助定位系統中有著至關重要的地位。在終端的設計中，文章采用了體積較小的BD/GPS雙模定位模塊UM220。TC35i模塊作為無線通信模塊。采用C8051F380單片機，一方面可以控制北斗模塊的位置信息的接收，另一方面可以控制無線通信模塊與遠程服務器進行通信。
微電子學最新期刊目錄
基于DLL的高精度高動態范圍的TDC的設計————作者：楊帆;申人升;張賀秋;盧宏斌;常玉春;
摘要：基于TSMC 65 nm 的標準CMOS工藝，設計了一款基于DLL的高精度、高動態范圍的TDC。該設計采用滑尺法，通過分別對START信號和STOP信號進行量化，不僅消除了由于初相不匹配而引入的誤差，還減小了由于電路的結構和制造工藝中的各種非理想因素而引入的非線性誤差。同時采用三段式TDC的架構，兼容實現了高動態范圍和高分辨率。通過對芯片成品進行測試：本文實現的TDC在基準時鐘100MHz的條件下...
面向SoC驗證的協同仿真平臺內存建模方法————作者：王貫西;黃正峰;蘇晨星;侯亮;楊滔;
摘要：軟硬件協同仿真既有軟件仿真的良好調試性，又具有FPGA原型驗證的高速特性，可以有效縮短芯片驗證周期。然而構成協同仿真平臺的FPGA片內RAM資源有限，且最多只能提供2個異步讀寫端口，難以滿足大規模芯片設計需求。用戶也無法直接獲取映射到RAM的待測設計內存數據，增加了診斷電路錯誤的難度。針對上述問題，本文對協同仿真平臺的FPGA片內RAM和片外DDR重新建模，實現最高4GB容量、最多16個異步讀寫端...
基于有機材料的柔性微波器件及微帶濾波電路————作者：汪濤;錢鵬健;宿利宸;宣曉峰;
摘要：本文基于有機導電材料設計了一款小型化的柔性平面帶通濾波器。通過選取低介電損耗的有機介電材料，有效降低了插入損耗、提高了濾波器的傳輸效率。建立了三維物理模型和等效電路，采用場路結合的方法分析了該濾波器結構。仿真結果表明，該濾波器工作在0.20～4.02 GHz，中心頻率為1.77 GHz，最小插入損耗為1.56 dB。根據該濾波器在1.77 GHz的磁場分布和表面電流分布分析了其濾波機理，研究了襯底...
采用條柵布局的SGT MOSFET電流分布研究————作者：張峪銘;楊瑞;王媛;
摘要：在采用條柵布局的SGT MOSFET中柵極多晶通常比N+區更長，則反型時形成的溝道也比N+區更長。本文利用三維TCAD仿真方法，研究了采用條柵布局的SGT MOSFET電流分布，分析了在長條柵極方向上的電子運動規律和電流分布，探究了結構參數和偏置電壓條件對SGT MOSFET電流分布的影響。結果表明，在SGT MOSFET設計過程中，利用N+<...
一款頻帶和電感值可大范圍調諧且Q峰值可保持不變的低噪聲有源電感————作者：曹健;張萬榮;金冬月;謝紅云;那偉聰;宋金達;張輝;楚尚勛;王雪;
摘要：提出了一款新型有源電感（AI）。它主要由雙回轉器、RC反饋支路、前饋噪聲抑制電路和兩個帶有外部電壓調控端Vtune1和Vtune2的電流源模塊組成。其中，將雙回轉器進行并聯，降低了等效損耗電阻RS，提升了AI的Q值；RC反饋支路與正跨導器形成負反饋結構，增強了等效回轉電容，進而增大了AI的等效電感值；前饋噪聲抑制電路降低了AI噪聲；...
面向超高場磁共振成像的低溫前置放大器————作者：奚業龍;張興雨;王永良;李凌云;
摘要：面向超高場磁共振成像系統，針對7T 1H （298 MHz）成像設計并實現了一款工作于液氮溫度（77 K）的低溫前置放大器。該放大器基于商用高電子遷移率晶體管ATF-54143，對晶體管的低溫特性進行測試，驗證了晶體管在77 K工作的有效性。放大器采用共源極拓撲，在輸入與輸出端之間引入電阻與電容構成的負反饋以提高放大器穩定性，并分析了反饋電阻對電路噪聲的貢獻。測試結果表明，放...
基于BSIM-CMG緊湊模型的鍺核-硅殼NSFET的SPICE建模————作者：馬英杰;王悅楊;李清華;劉偉景;
摘要：鍺核-硅殼納米片場效應晶體管（鍺核-硅殼NSFET）是一種在納米片結構中引入殼-核溝道的新型器件，基于伯克利短溝道柵絕緣場效應晶體管公共多柵（BSIM-CMG）緊湊模型結合TCAD仿真進行直流特性建模。通過MeQLab開展點（Point）模型基本參數提取，高階物理效應參數提取，分組（Bin）模型及邊界（Corner）模型的構建。建模過程中采用等效思想描述了量子阱導通機理與高階物理效應對電學特性的影...
基于隊列斜率和流優先的高效擁塞控制————作者：王旭;黃正峰;郭二輝;
摘要：隨著數據中心網絡規模的增長，基于RDMA的RoCE技術實現了低延遲和高吞吐量，但主流擁塞控制算法DCQCN在復雜負載和突發性擁塞場景下存在反饋滯后和未區分流量優先級的問題，導致小流傳輸效率低下。為此，本文提出了一種基于隊列長度變化速率(斜率)和小流優先的改進算法DSFQCN，通過優化ECN標記策略并增加流量調度機制，提高了微突發流量的響應能力，減少了小流與大流的競爭。仿真結果表明，DSFQCN顯著...
一種抗輻射寬輸入范圍帶隙基準源————作者：李成鑫;羅萍;馮皆凱;龔正;羅凱;姚福林;
摘要：基于對輻射環境下帶隙基準電路退化機理的研究，設計了一種抗輻射寬輸入范圍帶隙基準源。通過建立內部電源軌使其工作在更高電壓下；采用MOS器件的叉指結構，將淺槽隔離區（STI）與有源區進行有效隔離，實現基準核心對總劑量效應（TID）的加固；針對單粒子瞬態（SET）對基準電路的影響，提出了動態負載追蹤（Dynamic Load Tracking，DLT）技術，并綜合運用輸出濾波、調整管柵極濾波、DLT技術...
高電源抑制比低溫漂帶隙基準電壓源設計————作者：謝海情;諶運政;劉文用;肖斌;趙欣領;王昌志;鞏雅楠;劉順城;
摘要：針對傳統帶隙基準電壓源存在的電源抑制比差、線性調整率大以及溫度系數高等問題，設計一種高電源抑制比、低溫度系數帶隙基準電壓源。采用曲率補償電路，實現溫度曲線平滑處理，提高基準電壓精度；優化前置預穩壓電路和低通濾波電路，顯著提高系統的電源抑制能力。基于0.18μm CMOS工藝，完成電路設計與仿真。在5V電源電壓下，輸出電壓為1.207V；在-40℃～ 125℃，溫度系數為7.8×10-6<...
一種針對直接型X射線圖像傳感器的混合模式CMOS讀出電路設計————作者：楊京澳;張曉龍;彭家麗;潘思寧;任天令;
摘要：本文基于0.18μm標準CMOS工藝設計了一種用于直接型X射線圖像傳感器的混合模式讀出電路，同時支持光子計數以及積分兩種讀出方式。當光強較小時，使用計數模式以獲取良好的噪聲表現，當光強較大以至于計數模式飽和時，則激活積分模式擴展讀出電路動態范圍。仿真表明，計數模式能抑制高達數十納安的前端輸入漏電流，等效輸入噪聲電荷72e-rms，功耗為72.2μW/Pi...
一種用于低噪聲Buck的電流型基準反饋結構————作者：連卓凡;羅萍;彭怡然;龔正;辛相文;李云澤;
摘要：設計了一種能夠降低Buck變換器輸出端低頻噪聲的電流型基準反饋結構。本文分析了Buck變換器輸出端噪聲的來源，設計了一種由低噪聲電流型基準、低噪聲誤差放大器和片外高精度電阻及電容組成的新型反饋結構。該結構基于180 nm BCD工藝，降低了Buck輸出端噪聲頻譜中增益帶寬（GBW）以內的低頻噪聲，提高了Buck變換器的精度和穩定性。仿真結果表明，在輸入電壓12 V，輸出電壓1 V，片外濾波電容10...
一種低失配自動校準電荷泵電路————作者：陶磊;李婷;馬梓銘;
摘要：傳統電荷泵因電流失配引起輸出電壓的紋波，影響鎖相環的噪聲并惡化雜散性能。本文基于輸出阻抗增強技術實現了寬動態范圍下維持較高的靜態電流匹配度，采用數字校準技術實現了充放電電流的動態失配校準。基于源極開關結構克服時鐘饋通和電荷共享非理想效應，采用運放鉗位電壓消除輸出電壓通過溝道長度調制效應造成的失配。通過比較器檢測輸出電壓的變化來推斷充電電流和放電電流的失配關系，設計數字校準邏輯電路和校準補償電流電路...
低開銷的三節點翻轉容忍鎖存器設計————作者：李九七;徐輝;馬瑞君;黃正峰;梁華國;
摘要：針對鎖存器電路中因電荷共享引起的單粒子三節點翻轉問題，該文提出了一種三節點翻轉加固鎖存器LC-TNUTLD。該鎖存器包括鎖存模塊和攔截模塊兩個部分，鎖存模塊由兩個反饋環路構成，每個環路獨立工作且由四個CGE單元構成；攔截模塊采用由三個C單元組成的雙級攔截結構。通過采用高速傳輸路徑、鐘控門技術以及使用較少的晶體管等設計方法，在保證性能的同時降低成本。仿真結果表明，電路的面積、功耗、平均延時、功耗延時...
基于kT/C噪聲消除和失配誤差整形技術的二階無源噪聲整形SAR ADC設計————作者：傅建軍;宜天格;劉佳欣;蔣和全;
摘要：逐次逼近型（Successive Approximation Register， SAR）模數轉換器（Analog-to-Digital Converter， ADC）是一種結構簡單、對制程演進友好且高能效的ADC結構，然而其精度主要受限于采樣噪聲、數模轉換器（Digital-to-Analog Converter， DAC）失配和比較器噪聲。提出的基于采樣噪聲消除和DAC失配誤差整形技術的噪聲整...
22 nm FDSOI器件單粒子效應仿真研究————作者：黃凱;艾爾肯·阿不都瓦衣提;畢津順;劉雪飛;王剛;劉明強;王德貴;
摘要：基于Synopsys Sentaurus TCAD仿真工具對22 nm全耗盡絕緣體上硅（FDSOI）器件進行單粒子瞬態效應仿真研究。首先研究不同線性能量轉移（LET）值對單粒子瞬態特性的影響，結果表明當LET值從10 MeV·cm2/mg增加到35MeV·cm2/mg，單粒子瞬態電流峰值從180 μA增大到700 μA，脈沖寬度從10 ps增大到13 p...
p-NiO RESURF結構的GaN HEMT特性研究————作者：王菲;徐儒;趙見國;王修坪;許諾;殷瑞;
摘要：為獲得低導通電阻和高擊穿電壓，利用Silvaco-ATLAS軟件設計了一種p-NiO降低表面電場（Reduced Surface Field，RESURF）結構的GaN HEMT。研究結果表明，在電荷平衡條件下，當柵漏間距LGD=9.5 μm時，雙溝道器件的比導通電阻從單溝道器件的2.20 mΩ·cm2顯著降低至1.35 mΩ·cm2 重離子引起漏電退化損傷對SiC MOSFET柵極可靠性的影響————作者：袁其飛;于慶奎;曹爽;孫毅;王賀;張曉;張騰;柏松; 摘要：研究了重離子引起漏電退化損傷對1200 V SiC MOSFET柵極可靠性的影響。結果表明，在Ta離子輻照下，VDS在150 V至200 V時，器件漏電流由納安增加至微安，通過微光顯微鏡（EMMI）發現損傷主要集中在器件的主結區。經過168小時20 V柵壓考核，漏電退化器件柵漏電由幾微安升高至百微安，但最大跨導和轉移特性均無明顯變化。研究同時驗證了在負柵壓輻照條件下，器件柵極更易發生漏電。綜上，本... 1200 V SiC溝槽JBS單粒子燒毀仿真研究————作者：傅成文;黃文德;董小平;劉垚森;馬瑤;黃銘敏;龔敏;楊治美;李蕓; 摘要：碳化硅肖特基勢壘二極管（SiC SBD）憑借其低功耗、耐高溫、高開關頻率等優異特性，在航天航空領域具有廣闊的應用前景，然而，其抗單粒子燒毀能力遠不如預期。采用二維數值模擬方法，對1200 V 碳化硅溝槽結勢壘肖特基（TJBS）二極管的單粒子燒毀（SEB）效應進行了研究。結果表明，峰值溫度點會隨入射位置變化而遷移，且器件的單粒子敏感區域集中在P+/n-和n-/n+結。針對這些敏感位置，提出具有分層P... 不同特征尺寸微處理器的總劑量效應實驗研究————作者：范恒;梁潤成;陳法國;郭榮;鄭智睿; 摘要：針對不同特征尺寸商用微處理器在總劑量效應失效模式和失效劑量方面的差異，以同一制造商180 nm、90 nm、40 nm特征尺寸的微處理器為研究對象，利用自主研制的可擴展式微處理器總劑量效應在線測試系統，對微處理器在60Co輻照期間的通信、數模信號轉換、非易失性存儲、隨機訪問存儲、直接存儲器訪問、功耗電流、時鐘/定時器等功能的變化情況開展了原位在線測試。實驗結果表明，三種微處理... 相關電子信息期刊推薦 核心期刊推薦
