【雜志簡(jiǎn)介】

　　《電子與封裝》雜志是目前國(guó)內(nèi)唯一一本全面報(bào)道封裝與測(cè)試技術(shù)、半導(dǎo)體器件和IC設(shè)計(jì)與制造技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用以及前沿技術(shù)、市場(chǎng)信息等的技術(shù)性刊物,是中國(guó)電子學(xué)會(huì)生產(chǎn)技術(shù)學(xué)分會(huì)(電子封裝專業(yè))會(huì)刊、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)封裝分會(huì)會(huì)刊。

　　【收錄情況】

　　國(guó)家新聞出版總署收錄

　　ASPT來(lái)源刊

　　中國(guó)期刊網(wǎng)來(lái)源刊

　　【欄目設(shè)置】

　　主要欄目：政策與策略、專家論壇、綜述、封裝與組裝、電路設(shè)計(jì)與測(cè)試、器件與制造、支撐技術(shù)、產(chǎn)品、應(yīng)用與市場(chǎng)。

　　雜志優(yōu)秀目錄參考：

　　有關(guān)QFN72和CQFN72的熱阻計(jì)算 賈松良，蔡堅(jiān)，王謙，丁榮崢，JIA Songliang，CAI Jian，WANG Qian，DING Rongzheng

　　氮化鋁-鋁復(fù)合封裝基板的制備 李明鶴，彭雷，王文峰，LI Minghe，PENG Lei，WANG Wenfeng

　　CBGA植球工藝成熟度提升方法的研究 黃穎卓，練濱浩，林鵬榮，田玲娟，HUANG Yingzhuo，LIAN Binhao，LIN Pengrong，TIAN Lingjuan

　　基于JC-5600 ATE的單/雙電源運(yùn)算放大器測(cè)試方法 趙樺，章慧彬，ZHAO Hua，ZHANG Huibin

　　一種適于FPGA芯片的SRAM單元及外圍電路設(shè)計(jì) 徐新宇，徐玉婷，林斗勛，XU Xinyu，XU Yuting，LIN Douxun

　　一種新型基準(zhǔn)電流源電路設(shè)計(jì) 黃召軍，朱琪，施斌友，陳鐘鵬，萬(wàn)書(shū)芹，張濤，HUANG Zhaojun，ZHU Qi，SHI Binyou，CHEN Zhongpeng，WAN Shuqin，ZHANG Tao

　　一種低抖動(dòng)電荷泵鎖相環(huán)頻率合成器 楊霄壘，施斌友，黃召軍，季惠才，YANG Xiaolei，SHI Binyou，HUANG Zhaojun，JI Huicai

　　基于虛擬化技術(shù)的FPGA開(kāi)發(fā)平臺(tái)設(shè)計(jì) 張海平，萬(wàn)清，ZHANG Haiping，WAN Qin

　　鋁線鍵合的等離子清洗工藝研究 鐘小剛，ZHONG Xiaogang

　　CMOS工藝中抗閂鎖技術(shù)的研究 朱琪，華夢(mèng)琪，ZHU Qi，HUA Mengqi

　　外延參數(shù)穩(wěn)定性控制方法 王海紅，高翔，WANG Haihong，GAO Xiang

　　電路級(jí)熱載流子效應(yīng)仿真研究 高國(guó)平，曹燕杰，周曉彬，陳菊，GAO Guoping，CAO Yanjie，ZHOU Xiaobin，CHEN Ju

　　高密度SIP設(shè)計(jì)可靠性研究 王良江，楊芳，陳子逢，WANG Liangjiang，YANG Fang，CHEN Zifeng

　　管理科學(xué)投稿：不銹鋼金相檢驗(yàn)過(guò)程中的電解制樣的應(yīng)用分析

　　摘 要：在實(shí)際的金相檢驗(yàn)工作中，通常會(huì)采取電解法，將電流通入電解質(zhì)中，通過(guò)發(fā)生反應(yīng)對(duì)金屬的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有更好的認(rèn)識(shí)，與機(jī)械制樣方法相比，該方法首先可以避免拋光時(shí)產(chǎn)生的雜質(zhì)，其次速度快，消耗時(shí)間少，而且能夠節(jié)約材料，工作效率大大提高，能取得更好的制樣效果，應(yīng)用越來(lái)越廣泛。本文對(duì)其在金相檢驗(yàn)中的應(yīng)用進(jìn)行了簡(jiǎn)要分析。

　　關(guān)鍵詞：管理科學(xué),不銹鋼金相檢驗(yàn),電解制樣,應(yīng)用分析

　　引言

　　金相指的是金屬內(nèi)部結(jié)構(gòu)的物理或化學(xué)狀態(tài)，反映金相的具體形態(tài)叫做金相組織，主要包括馬氏體、鐵素體、奧氏體等。在制備金相試樣時(shí)，主要采取的方法有手工法、機(jī)械法以及電解法等。人工法現(xiàn)在已很少用，機(jī)械法因?yàn)樾枰�進(jìn)行拋光，往往會(huì)在磨光面上出現(xiàn)一些雜質(zhì)，而且需要多次拋光，浪費(fèi)大量時(shí)間。電解法是當(dāng)前較為常見(jiàn)的一種制樣方法，在有色金屬及耐熱不銹鋼等制樣中較為適用，在較短的時(shí)間內(nèi)就能完成制樣工作，減輕了勞動(dòng)量，提高了工作效率，值得推廣應(yīng)用。

　　電子與封裝最新期刊目錄

凹腔-凸肋復(fù)合結(jié)構(gòu)微通道換熱性能優(yōu)化及聲波調(diào)控機(jī)制研究————作者：高星宇;趙張馳;魏俊杰;朱旻琦;于宗光;孫曉冬;江飛;區(qū)炳顯;王艷磊;魏寧;

摘要：微通道散熱器是高功率密度器件熱管理的有效解決方案，本研究基于凹腔結(jié)構(gòu)與凸肋特征耦合排布的優(yōu)化策略，設(shè)計(jì)了三種二維微通道構(gòu)型。研究在維持可接受壓降損失的前提下，通過(guò)增強(qiáng)流動(dòng)擾動(dòng)實(shí)現(xiàn)綜合換熱效能的提升，并與傳統(tǒng)二維光滑直通道開(kāi)展對(duì)比分析。采用數(shù)值模擬方法，系統(tǒng)研究了不同微通道的流場(chǎng)特性、傳熱機(jī)制及熱力學(xué)綜合性能。研究結(jié)果表明：錯(cuò)列式半圓肋腔微通道（MC-SCSR）展現(xiàn)出最優(yōu)換熱效能，其綜合性能評(píng)價(jià)因子...

氮化鎵基傳感器研究進(jìn)展————作者：劉詩(shī)旻;陳佳康;王霄;郭明;王利強(qiáng);王鵬超;宣艷;繆璟潤(rùn);朱霞;白利華;尤杰;陳治偉;劉璋成;李楊;敖金平;

摘要：在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，傳感技術(shù)作為現(xiàn)代信息獲取的關(guān)鍵，不斷向高靈敏度、微型化和多功能化的方向邁進(jìn)。氮化鎵材料具高電子遷移率、寬能帶隙、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等，在感知力學(xué)信號(hào)、識(shí)別化學(xué)離子、探測(cè)生物分子和檢測(cè)氣體等方面表現(xiàn)卓越。為實(shí)現(xiàn)高靈敏度、高選擇性和快速響應(yīng)的檢測(cè)提供了新的解決方案。總結(jié)了氮化鎵基傳感器在力學(xué)、氣體、化學(xué)、生物領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展，闡述其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制備工藝，分析了其在不同應(yīng)用場(chǎng)景中的優(yōu)...

真空加熱爐溫度均勻性提升研究————作者：徐星宇;李早陽(yáng);史睿菁;王成君;王君嵐;羅金平;金雨琦;朱帆;張輝;

摘要：針對(duì)電子器件熱處理常用的晶圓鍵合臺(tái)真空加熱爐，建立了三維熱量傳遞數(shù)值仿真模型，研究了爐體內(nèi)部的熱量傳遞與溫度分布規(guī)律，評(píng)估了加熱爐的溫度均勻性并提出了能夠顯著提升溫度均勻性的保溫環(huán)結(jié)構(gòu)與高導(dǎo)熱材料設(shè)計(jì)方案。研究結(jié)果表明，造成加熱爐加熱面溫度分布不均的原因是加熱絲的非中心對(duì)稱布置和加熱面邊緣的漏熱現(xiàn)象，在加熱面邊緣布置保溫環(huán)或加熱盤(pán)材料使用碳化硅陶瓷時(shí)，面溫度非均勻性由3.2%分別提升至2.5%和1...

基于晶圓級(jí)鍵合技術(shù)的傳感器封裝研究進(jìn)展————作者：貝成昊;喻甜;梁峻閣;

摘要：傳感器作為信息感知的核心組件，對(duì)封裝高集成度與環(huán)境適應(yīng)性提出了更高要求。晶圓級(jí)鍵合技術(shù)是晶圓級(jí)封裝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)氣密性高可靠封裝，已廣泛應(yīng)用于傳感器制造領(lǐng)域。本文總結(jié)了多種適用于傳感器封裝的晶圓級(jí)鍵合技術(shù)，包括直接鍵合、陽(yáng)極鍵合、玻璃熔塊鍵合、金屬鍵合和混合鍵合，分析了技術(shù)原理、工藝特點(diǎn)、優(yōu)勢(shì)及其在實(shí)際應(yīng)用中的適用性，并探討了應(yīng)用場(chǎng)景。針對(duì)當(dāng)前低溫鍵合、異質(zhì)集成、高密度互連及高可靠性封裝...

一種集成柵電阻的高可靠性碳化硅功率器件研究————作者：臧雪;徐思晗;孫相超;劉志強(qiáng);鄧小川;

摘要：針對(duì)汽車主驅(qū)牽引逆變器的高功率密度應(yīng)用需求，設(shè)計(jì)并制造了一種集成柵電阻的平面型1 200 V SiC MOSFET器件。該器件導(dǎo)通電阻為14 mΩ，擊穿電壓達(dá)到1 750 V，通過(guò)優(yōu)化多晶硅電阻結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)芯片上集成5 Ω柵電阻；在母線電壓為800 V時(shí)，SiC MOSFET器件短路時(shí)間為2.7 μs，短路耐量達(dá)到1.8 J。此外，器件通過(guò)了168 h高溫柵偏、高溫反偏等可靠性評(píng)估測(cè)試，表明該集...

電子元器件真空灌封工藝技術(shù)研究————作者：姜萬(wàn)紅;吳文單;

摘要：闡述真空灌封工藝原理，灌封膠料選用和計(jì)量配膠系統(tǒng)的選擇，形成一種可行的電子元器件真空灌封工藝流程。主要通過(guò)對(duì)真空灌封工藝技術(shù)的研究，以解決電子元器件在灌封過(guò)程中容易產(chǎn)生氣泡或空洞等問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)電性能穩(wěn)定性和可靠性提升

一種具有載流子動(dòng)態(tài)調(diào)制的雙柵IGBT————作者：劉晴宇;楊禹霄;陳萬(wàn)軍;

摘要：提出了一種具有載流子動(dòng)態(tài)調(diào)制，可以顯著降低關(guān)斷損耗的雙柵絕緣柵雙極晶體管（DG-IGBT），并基于Sentaurus TCAD針對(duì)柵極控制不同的元胞比例1∶4和1∶2的DG-IGBT進(jìn)行了電學(xué)特性仿真。DG-IGBT通過(guò)動(dòng)態(tài)調(diào)控載流子分布，在關(guān)斷時(shí)降低漂移區(qū)內(nèi)發(fā)射極側(cè)的載流子濃度，促進(jìn)耗盡區(qū)的擴(kuò)展，加快集電極電壓的上升速度，從而減小關(guān)斷損耗。通過(guò)器件仿真與實(shí)驗(yàn)測(cè)試，系統(tǒng)研究了載流子動(dòng)態(tài)調(diào)制對(duì)IGB...

先進(jìn)封裝中銅柱微凸點(diǎn)互連技術(shù)研究進(jìn)展————作者：張冉遠(yuǎn);翁銘;黃文俊;張昱;楊冠南;黃光漢;崔成強(qiáng);

摘要：超高密度互連、三維異構(gòu)集成是當(dāng)前微電子技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)，銅柱微凸點(diǎn)作為先進(jìn)封裝互連的核心技術(shù)，提供了高性能、多樣化的應(yīng)用方案。討論了焊料銅柱微凸點(diǎn)互連的原理、特性及挑戰(zhàn)，詳細(xì)闡述了瞬態(tài)液相互連技術(shù)及固態(tài)擴(kuò)散互連技術(shù)的研究進(jìn)展，概述了納米材料修飾銅柱微凸點(diǎn)互連的不同方案，分析了各類材料的互連特性及性能。最后總結(jié)展望了銅柱微凸點(diǎn)互連技術(shù)未來(lái)的發(fā)展方向

混合鍵合中銅焊盤(pán)的微納結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化研究進(jìn)展————作者：楊剛力;常柳;于道江;李亞男;朱宏佳;丁子揚(yáng);李力一;

摘要：隨著晶體管微縮逐漸放緩，先進(jìn)封裝和三維集成技術(shù)成為集成電路系統(tǒng)性能持續(xù)提升的重要路徑。混合鍵合是一種具有高密度三維集成能力的鍵合工藝，在人工智能芯片制造等應(yīng)用中扮演日益重要的角色。銅焊盤(pán)是混合鍵合負(fù)責(zé)信號(hào)傳輸與供電的接口，其物理化學(xué)特性決定了工藝的良率和可靠性。目前，國(guó)際領(lǐng)先半導(dǎo)體企業(yè)在混合鍵合銅焊盤(pán)工藝領(lǐng)域已取得顯著進(jìn)展，不僅建立了高密度金屬化-等離子體活化-低溫鍵合的系統(tǒng)化工藝流程，且通過(guò)技術(shù)...

高活性楊梅狀多孔微米銀顆粒及低溫?zé)�結(jié)互連————作者：董镈瓏 ;李明雨;

摘要：<正>低溫?zé)�結(jié)銀技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于大功率模塊封裝互連領(lǐng)域，然而燒結(jié)銀的楊氏模量較高，在封裝及服役過(guò)程中焊點(diǎn)產(chǎn)生的熱應(yīng)力較高且難以得到有效釋放，增加了器件失效的風(fēng)險(xiǎn)。哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）李明雨教授團(tuán)隊(duì)通過(guò)取向生長(zhǎng)的方法合成了具有高比表面積（2.538 9 m2/g）的楊梅狀多孔微米銀顆粒，該楊梅狀顆粒內(nèi)部具有豐富的納米孔及孿晶結(jié)構(gòu)，表現(xiàn)出極高的燒結(jié)活性，可以在150℃下實(shí)現(xiàn)銀顆粒的燒結(jié)...

“面向先進(jìn)封裝應(yīng)用的銅互連鍵合技術(shù)”專題前言————作者：劉志權(quán);

摘要：<正>銅（Cu）具有優(yōu)異的電導(dǎo)率（～5.96×107S/m）、較高的熱導(dǎo)率（～401 W·m-1·K-1）、良好的抗電遷移能力（5×106A/cm2）以及較高的性價(jià)比，是電子信息產(chǎn)業(yè)中至關(guān)重要的互連材料。銅互連可以實(shí)現(xiàn)元件與元件或芯片、芯片與芯片或封裝基板之間的穩(wěn)定、高效、低延遲連接,在電子封裝中起到舉足輕重的作用，其形式包括芯片大馬士革布線、重布線層（RDL）、凸點(diǎn)下金屬層（UBM）...

基于FPGA的CAN＿FD控制器的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證————作者：羅旸;何志豪;

摘要：CAN＿FD總線協(xié)議作為新一代汽車總線網(wǎng)絡(luò)的核心通信技術(shù)，在提升傳輸速率和擴(kuò)展數(shù)據(jù)場(chǎng)長(zhǎng)度方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而，現(xiàn)有CAN＿FD控制器普遍采用封閉式IP核實(shí)現(xiàn)，協(xié)議棧不可見(jiàn)，嚴(yán)重制約了網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的自主可控性。針對(duì)這一問(wèn)題，本研究提出了一種基于FPGA實(shí)現(xiàn)的CAN＿FD控制器設(shè)計(jì)方案。該設(shè)計(jì)為兼容CAN標(biāo)準(zhǔn)，新增多項(xiàng)式循環(huán)冗余校驗(yàn)設(shè)計(jì)CRC17和CRC21校驗(yàn)算法，為數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性添加了雙重保險(xiǎn)。...

集成電路SiP封裝器件熱應(yīng)力仿真方法研究————作者：吳松;王超;秦智晗;陳桃桃;

摘要：近年來(lái)微系統(tǒng)SiP封裝技術(shù)從微器件的設(shè)想到落地，逐步實(shí)現(xiàn)了工藝技術(shù)上的改進(jìn)，直至今日滲透到信息、航天、船舶、醫(yī)學(xué)等多個(gè)領(lǐng)域，其發(fā)展趨勢(shì)已經(jīng)勢(shì)不可擋。但是對(duì)于微系統(tǒng)SiP封裝器件，熱應(yīng)力導(dǎo)致的熱失配是最重要的失效原因之一。想要分析器件的熱適配問(wèn)題，實(shí)驗(yàn)成本太高，基于有限元的數(shù)值仿真技術(shù)不僅可以滿足準(zhǔn)確度要求，并且節(jié)省時(shí)間、資源等成本，但是國(guó)內(nèi)外針對(duì)微系統(tǒng)SiP封裝器件的熱應(yīng)力數(shù)值仿真方法并沒(méi)有進(jìn)行系...

玻璃通孔技術(shù)的射頻集成應(yīng)用研究進(jìn)展————作者：喻甜;陳新;林景裕;鐘毅;梁峻閣;顧曉峰;于大全;

摘要：隨著射頻系統(tǒng)向高頻化、集成化發(fā)展，玻璃通孔（TGV）技術(shù)憑借玻璃基板的低介電損耗和高熱導(dǎo)率，成為突破傳統(tǒng)基板限制的核心方案。本文系統(tǒng)綜述TGV技術(shù)的制造工藝、射頻器件集成創(chuàng)新及其在5G/6G通信與毫米波系統(tǒng)中的應(yīng)用進(jìn)展。在射頻器件領(lǐng)域，TGV通過(guò)三維互連顯著提升集總電感電容等無(wú)源器件的性能密度，并支撐濾波器設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)低插損和小型化。天線應(yīng)用中，TGV多層堆疊技術(shù)推動(dòng)封裝天線（AiP）向毫米波頻段拓展...

系統(tǒng)級(jí)封裝模組高可靠封焊技術(shù)研究————作者：成嘉恩;姬峰;張鵬哲;蘭元飛;何欽江;蘭夢(mèng)偉;王明偉;

摘要：隨著射頻組件工作頻段不斷提高、裝配空間不斷壓縮，傳統(tǒng)基于二維多芯片組件工藝的射頻組件已無(wú)法滿足產(chǎn)品高性能、小型化、輕量化的需求。系統(tǒng)級(jí)封裝工藝將三維芯片疊層結(jié)構(gòu)封裝至具有高布線密度的金屬陶瓷管殼結(jié)構(gòu)中，通過(guò)焊錫球?qū)崿F(xiàn)垂直方向的低損耗射頻互連，能夠極大提高產(chǎn)品集成度與性能。本文從封焊過(guò)程中的工裝設(shè)計(jì)、焊料設(shè)計(jì)以及焊接參數(shù)設(shè)計(jì)等多個(gè)維度開(kāi)展研究，探究最優(yōu)工藝路線，最終實(shí)現(xiàn)了密封漏率≤3×10^...

SiC MOSFET的單粒子漏電退化研究————作者：徐倩;馬瑤;黃文德;楊諾雅;王鍵;龔敏;李蕓;黃銘敏;楊治美;

摘要：研究了重離子輻照下SiC MOSFET器件單粒子漏電退化規(guī)律。通過(guò)重離子在線輻照實(shí)驗(yàn)，分析了SiC MOSFET單粒子漏電的特性，并探討了潛在損傷對(duì)其柵可靠性的影響。使用激光束電阻異常偵測(cè)（OBIRCH）、聚焦離子束（FIB）和透射電鏡（TEM）等檢測(cè)手段，對(duì)單粒子潛在損傷器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化進(jìn)行了表征。結(jié)合宏觀電學(xué)特性與微觀結(jié)構(gòu)變化，揭示了SiC MOSFET器件單粒子漏電退化的機(jī)制。研究結(jié)果為提...

Sb微粒對(duì)SAC305錫膏焊接接頭性能的影響————作者：林欽耀;汪松英;曾世堂;

摘要：針對(duì)SAC305錫膏焊接接頭在苛刻的高溫環(huán)境中可靠性不足問(wèn)題，本研究通過(guò)機(jī)械混合方式向SAC305錫膏添加Sb粉微粒制備復(fù)合錫膏SAC305-xSb（ x = 0%，2%，6%，10%，20%），研究Sb粉微粒添加含量對(duì)SAC305錫膏的潤(rùn)濕性、熔化特性、焊點(diǎn)耐溫性、焊接接頭的空洞率以及微觀組織和力學(xué)性能的影響。結(jié)果表明：復(fù)合錫膏的潤(rùn)濕性和焊接空洞率隨著Sb粉含量增加而下降、熔化特性和焊點(diǎn)耐溫性隨...

窄間距多芯片自動(dòng)共晶焊接工藝研究————作者：賈海斌;趙彬彬;高婷;

摘要：共晶焊接是電子封裝領(lǐng)域一種重要的芯片鍵合工藝，典型共晶焊接工藝包括真空共晶焊接和摩擦共晶焊接兩種。與真空共晶焊接工藝相比，摩擦共晶焊接工藝具有操作簡(jiǎn)單、靈活性高等優(yōu)勢(shì)，并且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。隨著產(chǎn)品集成度提升，多芯片共晶設(shè)計(jì)得到普遍應(yīng)用，與傳統(tǒng)單芯片共晶相比，多芯片共晶對(duì)工藝要求更高。本文針對(duì)某窄間距多芯片共晶封裝結(jié)構(gòu)，基于自動(dòng)摩擦共晶焊接工藝，從吸嘴設(shè)計(jì)、焊片尺寸控制、焊接參數(shù)設(shè)置等方面開(kāi)展研究，...

先進(jìn)封裝驅(qū)動(dòng)下的片上互連技術(shù)發(fā)展態(tài)勢(shì)研究————作者：王翰華;崔忠杰;

摘要：隨著登納德縮放定律的失效以及“摩爾定律”的減緩，芯片性能的提升越來(lái)越依賴于多核架構(gòu)。片上互連技術(shù)已經(jīng)成為決定處理器性能的關(guān)鍵因素。片上網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和先進(jìn)封裝技術(shù)為處理器核心數(shù)量的規(guī)模化增長(zhǎng)提供了必要的前提條件。然而，受先進(jìn)封裝技術(shù)的驅(qū)動(dòng)，片上互連的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)正經(jīng)歷從二維向三維的轉(zhuǎn)變，這一變化導(dǎo)致互連結(jié)構(gòu)復(fù)雜度提升，互連場(chǎng)景也日趨多樣化。傳統(tǒng)的基于電信號(hào)的有線互連技術(shù)已經(jīng)顯示出其局限性，而光互連和無(wú)線互連...

臨時(shí)鍵合工藝中晶圓翹曲研究————作者：李碩;柳博;葉振文;方上聲;陳偉;黃明起;

摘要：在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，包括晶圓減薄、圓片級(jí)封裝、三維封裝、晶圓背面加工以及多芯片封裝體的晶圓重構(gòu)等關(guān)鍵工藝中，臨時(shí)鍵合技術(shù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。針對(duì)該技術(shù)在異質(zhì)熱壓鍵合引發(fā)的翹曲進(jìn)行了深入分析，并提出了解決方案，包括襯底和臨時(shí)鍵合膠的優(yōu)選、旋涂工藝的優(yōu)化以及鍵合參數(shù)的調(diào)整，以滿足先進(jìn)封裝對(duì)低翹曲臨時(shí)鍵合工藝的需求

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