微納電子技術(shù)最新期刊目錄

基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的小尺寸風(fēng)速傳感器設(shè)計(jì)————作者：戴冠宇;蘇玉香;吳金霖;郭瀚;劉興旺;

摘要：為解決當(dāng)前基于摩擦納米發(fā)電機(jī)（TENG）的風(fēng)速傳感器尺寸較大、應(yīng)用受限的問題,提出一種基于摩擦納米發(fā)電機(jī)的小尺寸風(fēng)速傳感器（MA-TENG）,其設(shè)計(jì)尺寸較小,長(zhǎng)、寬、高分別為45、30和22 mm,質(zhì)量?jī)H14.9 g,適用范圍廣泛。研究結(jié)果表明MA-TENG的開路電壓幅值最高達(dá)到200 V左右,根據(jù)其電壓信號(hào)的頻率與風(fēng)速之間存在的線性關(guān)系,對(duì)頻率與風(fēng)速進(jìn)行擬合,擬合優(yōu)度R²為...

錫摻雜二維鹵化鉛鈣鈦礦（PEA）₂PbBr₄的電學(xué)性能研究————作者：孫藝;劉淇銘;王鐘石;吳東旭;徐姣;

摘要：在太陽能電池、憶阻器、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等多個(gè)領(lǐng)域,二維鹵化鉛鈣鈦礦在引入有機(jī)陽離子以隔絕濕氣與氧氣來提高材料穩(wěn)定性的同時(shí)也使得其導(dǎo)電性受到影響。另外,二維鹵化鉛鈣鈦礦中存在重金屬有毒元素鉛,會(huì)對(duì)環(huán)境和人體產(chǎn)生危害。研究認(rèn)為B位摻雜是解決晶體毒性問題和提高光電性能的主要途徑。Pb²⁺具有非常穩(wěn)定的空間結(jié)構(gòu),摻雜元素很難進(jìn)行取代,所以B位摻雜是一個(gè)技術(shù)難題。通過原位摻雜的方法在二維鹵...

石墨烯/碳化硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面熱輸運(yùn)特性研究————作者：于傳軍;王鵬博;劉東靜;袁啟彬;過浙鋒;藍(lán)宏鑫;

摘要：提升散熱性能對(duì)于高功率碳化硅器件可靠性至關(guān)重要,采用非平衡分子動(dòng)力學(xué)方法研究石墨烯/碳化硅異質(zhì)結(jié)構(gòu)的傳熱特性,重點(diǎn)探討溫度、熱流方向和界面尺寸對(duì)界面熱導(dǎo)的影響。研究發(fā)現(xiàn),不同溫度下石墨烯/4H-Si C異質(zhì)結(jié)構(gòu)的界面熱導(dǎo)始終大于石墨烯/3C-Si C的界面熱導(dǎo)。當(dāng)溫度從300 K增加到800 K時(shí),石墨烯/4H-SiC結(jié)構(gòu)的界面熱導(dǎo)從0.352 4 GW/（m²·K）升高到0...

基于TGV技術(shù)的FAIMS氣體傳感器研制————作者：胡鄭蕊;李山;劉少敏;劉友江;王晗;徐椿景;魏健輝;陳池來;

摘要：提出了一種基于玻璃通孔（TGV）垂直引線的玻璃基高場(chǎng)不對(duì)稱波形離子遷移譜（FAIMS）分析器結(jié)構(gòu),研制出微型化、低噪聲FAIMS氣體傳感器,并對(duì)其環(huán)境噪聲屏蔽和氣體檢測(cè)性能進(jìn)行了測(cè)試。研究結(jié)果表明,通過垂直引線的屏蔽電極設(shè)計(jì),該傳感器的檢測(cè)基線噪聲低至16f A,具有良好的噪聲屏蔽性能。選擇典型揮發(fā)性有機(jī)物乙苯作為測(cè)試樣品,評(píng)估了FAIMS氣體傳感器的響應(yīng)特性,并獲得了乙苯的譜圖和響應(yīng)曲線。在體積...

基于ABW模型的納米定位遲滯抑制與精度控制————作者：居倩;姜健康;朱軍輝;汝長(zhǎng)海;

摘要：在精密工程中,納米定位平臺(tái)具有關(guān)鍵作用,然而,定位精度不足仍然是限制其在高精度應(yīng)用場(chǎng)景中進(jìn)一步發(fā)展的主要障礙。通過實(shí)驗(yàn)測(cè)試,揭示了納米定位平臺(tái)遲滯特性導(dǎo)致的運(yùn)動(dòng)非線性現(xiàn)象。針對(duì)傳統(tǒng)Bouc-Wen模型對(duì)于遲滯曲線建模精度不佳的情況,采用了非對(duì)稱BoucWen (ABW)模型,并利用粒子群優(yōu)化(PSO)算法進(jìn)行參數(shù)辨識(shí),與傳統(tǒng)模型相比,改進(jìn)模型的均方根誤差和最大誤差分別降低了58.09%和39.73...

TiO₂摻雜對(duì)β″-Al₂O₃微觀組織及陽極鍵合性能的影響————作者：許兆麒;劉翠榮;陰旭;于秀秀;王強(qiáng);劉淑文;

摘要：β″-Al₂O₃是一種常用于陽極鍵合的固體電解質(zhì)材料，通過摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)1.0%TiO₂的固相反應(yīng)法制備β″-Al₂O₃,改善其微觀結(jié)構(gòu)。對(duì)比未摻雜和摻雜TiO₂的樣品，通過X射線衍射（XRD）發(fā)現(xiàn)TiO₂的加入有效抑制了β″-Al₂

基于ALD的高深寬比微孔光學(xué)元件內(nèi)壁Al₂O₃薄膜研究————作者：李明軒;唐吉龍;

摘要：在微納光學(xué)以及半導(dǎo)體領(lǐng)域中，高深寬比器件如三維芯片、集成電路、微通道板等十分常見。而由于其本身內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性，在器件內(nèi)部進(jìn)行薄膜沉積時(shí)，高精度的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)至關(guān)重要。主要研究了在高深寬比微孔光學(xué)器件中，使用原子層沉積(ALD)技術(shù)沉積氧化鋁薄膜。討論了溫度和前驅(qū)體暴露量對(duì)沉積效率以及沉積結(jié)果的影響，并對(duì)沉積方案進(jìn)行優(yōu)化，最后利用能譜儀對(duì)薄膜進(jìn)行表征，通過對(duì)結(jié)果的分析可知，微孔內(nèi)部各處氧化鋁薄膜表...

基于核酸生物傳感器檢測(cè)HR-HPV研究進(jìn)展————作者：師瑤;王發(fā)展;韓磊磊;

摘要：宮頸癌是威脅全球婦女健康的第三大常見癌癥，大多數(shù)情況下由高危人乳頭瘤病毒(HR-HPV)持續(xù)感染引起，HR-HPV感染的復(fù)發(fā)性較高，準(zhǔn)確的篩查對(duì)其控制至關(guān)重要。常用的聚合酶鏈反應(yīng)(PCR)技術(shù)受到專業(yè)設(shè)備和人員的限制，無法滿足基層臨床檢測(cè)的需求，因此，研發(fā)檢測(cè)步驟簡(jiǎn)單且靈敏度高的方法至關(guān)重要。綜述了基于改進(jìn)PCR、環(huán)介導(dǎo)等溫?cái)U(kuò)增(LAMP)、重組酶聚合酶擴(kuò)增(RPA)、雜交鏈反應(yīng)(HCR)、催化發(fā)...

應(yīng)用于熱泵空調(diào)系統(tǒng)的MEMS壓力溫度傳感器設(shè)計(jì)及驗(yàn)證————作者：許鵬;聶靖宇;王偉忠;李保嶺;

摘要：為了延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航能力，熱泵空調(diào)系統(tǒng)逐漸取代了傳統(tǒng)的正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻空調(diào)，應(yīng)用于熱泵空調(diào)系統(tǒng)的壓力溫度傳感器是系統(tǒng)控制的關(guān)鍵部件�；�于一款可以直接接觸冷媒的微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）壓阻式壓力芯片，采用無引線倒裝焊封裝工藝，結(jié)合模塊化裝配的設(shè)計(jì)思路，開發(fā)了一款應(yīng)用于汽車空調(diào)系統(tǒng)的壓力溫度傳感器，并通過仿真手段證明了傳感器的結(jié)構(gòu)可靠性。通過對(duì)傳感器進(jìn)行測(cè)試，傳感器的壓力精度可以達(dá)到全...

基于田口方法的CMOS柵極掩膜層清洗工藝優(yōu)化研究————作者：吳國(guó)才;張玉龍;孫瑞;時(shí)建成;楊彪;

摘要：返工清洗互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）晶體管柵極上的光刻膠掩膜層，不合理的工藝將會(huì)導(dǎo)致柵極膜層電阻的偏高。制備多晶硅/WSi₂結(jié)構(gòu)的CMOS柵極膜層，然后對(duì)柵極進(jìn)行光刻圖形化處理并明確光刻膠清洗的機(jī)理。通過引入田口方法組合清洗工藝中的變量和分析實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，確定了柵極膜層電阻偏高的主要因素。再結(jié)合WSi₂的膜厚變化情況，推測(cè)引起電阻偏高的主要原因，提出調(diào)換...

基于RBF自適應(yīng)滑模的旋轉(zhuǎn)式壓電納米探針臺(tái)軌跡跟蹤控制————作者：馬詩雨;孟思源;丁戍辰;汝長(zhǎng)海;

摘要：隨著微納技術(shù)的快速發(fā)展，旋轉(zhuǎn)式壓電納米探針臺(tái)在高真空掃描電子顯微鏡(SEM)中的應(yīng)用需求日益增加。為了解決壓電驅(qū)動(dòng)設(shè)備面臨的非線性特性和不確定性干擾，提出一種基于徑向基函數(shù)(RBF)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的自適應(yīng)滑模控制(RBF-ASMC)方法。通過結(jié)合拉格朗日方法和壓電材料的遲滯模型，建立了旋轉(zhuǎn)式壓電納米探針臺(tái)的動(dòng)力學(xué)模型，并采用RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)逼近系統(tǒng)未知?jiǎng)討B(tài)，利用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)自適應(yīng)律優(yōu)化控制參數(shù)。仿真結(jié)果表明，...

金屬氧化物框架復(fù)合材料修飾玻碳電極同時(shí)測(cè)定水中鉛和鎘————作者：蔣紅娟;

摘要：使用ZIF-8與金屬鉍合成復(fù)合材料，與羧基化多壁碳納米管（CMWCNT）對(duì)玻璃碳電極（GCE）進(jìn)行修飾得到Bi@ZIF-8/CMWCNT/GCE電化學(xué)傳感器。由于ZIF-8的多孔性和大比表面積、鉍對(duì)Pb²⁺和Cd²⁺的吸附性以及羧基多壁碳納米管的導(dǎo)電性，使傳感器具有同時(shí)檢測(cè)水中Pb²⁺和Cd²⁺的能力。最優(yōu)條件...

導(dǎo)電膠粘接片式元件接觸電阻可靠性研究————作者：史海林;劉家龍;弓明杰;王攀;盧朝陽;關(guān)超;

摘要：為驗(yàn)證導(dǎo)電膠粘接片式元件接觸電阻可靠性，制備自動(dòng)粘接和人工粘接樣品，以高溫老化、環(huán)境試驗(yàn)、機(jī)械試驗(yàn)作為考核條件，研究了導(dǎo)電膠粘接片式元件接觸電阻可靠性。研究結(jié)果表明，采用自動(dòng)粘接工藝的導(dǎo)電膠接觸電阻在考核前后的一致性優(yōu)于人工粘接工藝。經(jīng)過168 h/125℃和1 000 h/125℃老化后，自動(dòng)粘接與人工粘接工藝的導(dǎo)電膠接觸電阻分別增加約5%和20%;經(jīng)過環(huán)境試驗(yàn)及機(jī)械試驗(yàn)后，自動(dòng)粘接工藝導(dǎo)電膠接...

雙通道協(xié)同解耦SAW應(yīng)變傳感器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造————作者：鄭引榮;梁曉瑞;譚秋林;

摘要：為滿足發(fā)動(dòng)機(jī)、燃?xì)廨啓C(jī)等高溫高旋環(huán)境下關(guān)鍵部件的健康監(jiān)測(cè)需求,基于硅酸鎵鑭(LGS)基底創(chuàng)新性地提出了一種雙通道協(xié)同解耦的高溫穩(wěn)定型聲表面波(SAW)應(yīng)變傳感結(jié)構(gòu)。該傳感系統(tǒng)采用獨(dú)特的90°空間正交布局設(shè)計(jì),由兩個(gè)高性能諧振器構(gòu)成傳感單元對(duì),通過高溫穩(wěn)定的鉑漿料和鉑絲引線實(shí)現(xiàn)傳感元件在800℃極端環(huán)境下的可靠互連。通過優(yōu)化設(shè)計(jì)雙通道協(xié)同解耦算法,可有效消除溫度引起的干擾,在25～800℃的寬溫域范...

激光退火作用對(duì)Ni-SiC歐姆接觸形成的影響機(jī)制研究————作者：陳絲雨;陳冬冬;王曉峰;潘嶺峰;黃永忠;

摘要：與傳統(tǒng)的快速熱退火（RTA）相比,激光退火（LA）具有作用時(shí)間極短及范圍可控等優(yōu)勢(shì),并可通過調(diào)節(jié)激光參數(shù),實(shí)現(xiàn)可控的退火效果。采用不同波長(zhǎng)、脈寬和能量密度的激光束對(duì)Ni-SiC樣品進(jìn)行退火處理,探討了在歐姆接觸形成過程中,這些參數(shù)對(duì)方塊電阻-能量密度（R_s-ED）曲線、樣品形貌以及表面粗糙度的影響,分析了歐姆接觸形成的機(jī)理。研究發(fā)現(xiàn),金屬Ni對(duì)351nm波長(zhǎng)激光的吸收率高于對(duì)...

面向膠囊機(jī)器人的Huber加權(quán)抗干擾磁定位方法————作者：林宇飛;蘇詩薦;戴厚德;

摘要：膠囊機(jī)器人因其無創(chuàng)、無痛等特點(diǎn)在胃腸道疾病診療中展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景,基于永磁場(chǎng)的定位技術(shù)憑借其高精度與適應(yīng)性,在膠囊的體內(nèi)定位應(yīng)用中備受關(guān)注。然而,復(fù)雜手術(shù)環(huán)境中普遍存在的鐵磁物質(zhì)及外來磁源,會(huì)引發(fā)硬鐵、軟鐵效應(yīng),嚴(yán)重影響定位精度。為此,提出了一種融合Huber加權(quán)算法與動(dòng)態(tài)初值策略的磁定位方法。首先,通過Huber核函數(shù)對(duì)可能受干擾的傳感器測(cè)量值進(jìn)行差異化處理,削減異常測(cè)量數(shù)據(jù)的權(quán)重;其次,通...

封裝基板關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展及展望————作者：楊宏強(qiáng);方建敏;李光耀;

摘要：封裝基板是半導(dǎo)體封裝過程中廣泛使用的基礎(chǔ)材料之一。首先闡述了基板的起源、種類(單塊和單元基板)、應(yīng)用和組成；之后從先進(jìn)基板制造工藝角度，詳細(xì)分析了線路圖形工藝(減成法、改進(jìn)半加成法和半加成法)、芯板結(jié)構(gòu)(有芯、無芯)、內(nèi)置元器件(有源、無源)以及最近興起的玻璃芯基板、多層布線芯板基板的應(yīng)用場(chǎng)景、制作方法和工藝能力；最后從基板類型和應(yīng)用角度，展望了先進(jìn)基板關(guān)鍵技術(shù)的未來趨勢(shì)

一種高穩(wěn)定性帶過流保護(hù)的LDO電路設(shè)計(jì)————作者：韓富璇;何慶國(guó);王鑫;馬琳;

摘要：采用0.25μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了一種高穩(wěn)定性帶過流保護(hù)功能的低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)。該LDO包括帶隙基準(zhǔn)電路、誤差放大器、過流保護(hù)電路等。過流保護(hù)電路可以在LDO負(fù)載超過設(shè)定值時(shí)關(guān)閉LDO電路。誤差放大器主環(huán)路采用負(fù)載電容等效串聯(lián)電阻(ESR)和密勒電容倍增補(bǔ)償進(jìn)行頻率補(bǔ)償，保證全負(fù)載條件下電路的穩(wěn)定性。仿真結(jié)果表明，設(shè)計(jì)的LDO實(shí)現(xiàn)了7～15 V的輸入電壓范圍，輸出電壓典型值為5 V,帶...

Ka波段小型化多通道新型封裝天線設(shè)計(jì)————作者：楊兆龍;劉林杰;喬志壯;

摘要：封裝天線(AiP)是一種能夠?qū)崿F(xiàn)低成本制備、高性能以及小體積天線的技術(shù)，在移動(dòng)通信等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。目前以高溫共燒陶瓷(HTCC)作為封裝材料的AiP大多屬于多層結(jié)構(gòu)，通過犧牲天線尺寸來實(shí)現(xiàn)寬帶和高增益特性，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，集成度較低。提出了一種新型的小型化封裝天線結(jié)構(gòu)。以HTCC作為介質(zhì)基板材料，通過將傳統(tǒng)Vivaldi天線和微帶八木天線相結(jié)合，在保證天線有足夠增益的前提下有效減小了天線尺寸。設(shè)計(jì)...

面向CMUT的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)和激勵(lì)信號(hào)優(yōu)化————作者：孫帥文;何常德;吳帥琦;張文棟;張國(guó)軍;楊玉華;王任鑫;

摘要：電容式微機(jī)械超聲換能器(CMUT)具有微型化、易與電子產(chǎn)品集成、與人體組織阻抗匹配良好、機(jī)電轉(zhuǎn)換效率高、靈敏度高、頻帶寬和成本低等優(yōu)點(diǎn)。CMUT在醫(yī)學(xué)成像、無損檢測(cè)和流速測(cè)量等領(lǐng)域展現(xiàn)出極大應(yīng)用潛力。針對(duì)CMUT,設(shè)計(jì)了一套高壓脈沖激勵(lì)系統(tǒng)，可以用于激勵(lì)CMUT發(fā)送超聲波。使用該系統(tǒng)對(duì)CMUT進(jìn)行不同發(fā)射波形的測(cè)試對(duì)比。實(shí)驗(yàn)結(jié)果顯示：在正極性偏置電壓下，對(duì)上電極施加峰峰值相同的負(fù)極性脈沖方波、雙極...

　　微納電子技術(shù)來自網(wǎng)友的投稿評(píng)論：

提交